MOSFET

作為領先的MOSFET分立器件設計與供應商，新潔能致力于推廣性能卓越、質(zhì)量穩(wěn)定并且極具價格競爭力的全系列MOSFET產(chǎn)品。

作為領先的MOSFET分立器件設計與供應商，新潔能致力于推廣性能卓越、質(zhì)量穩(wěn)定并且極具價格競爭力的全系列MOSFET產(chǎn)品。我們?yōu)殡娐吩O計師們提供全面的產(chǎn)品選擇，擊穿電壓覆蓋-200V至300V，配合最先進的封裝技術，為您提供100mA至400A的電流選擇范圍。我們專注于持續(xù)改進MOSFET在電能轉(zhuǎn)換過程中的系統(tǒng)效率和功率密度以及在苛刻環(huán)境下開關過程中的抗沖擊雪崩耐量，實現(xiàn)快速、平穩(wěn)、高效的電源管理及電能轉(zhuǎn)換。

通過采用最先進的溝槽柵工藝技術和電流通路布局結(jié)構，新潔能MOSFET實現(xiàn)了功率密度最大化，從而大幅度降低電流傳導過程中的導通損耗。同時，電流在芯片元胞當中的流通會更加均勻穩(wěn)定;應對于高頻率的開關應用，我們?yōu)樵O計師們提供低開關損耗的系列產(chǎn)品(產(chǎn)品名稱后加標C)，其有效降低了柵極電荷(Qg)，尤其是柵極漏極間的電荷(Qgd)，從而在快速開關過程中降低開關功率損耗。通過采用這些先進的技術手段，MOSFET的FOM(品質(zhì)因子(Qg*Rdson))得以實現(xiàn)行業(yè)內(nèi)的領先水平。

應對于半橋/全橋、AC/DC電源的同步整流以及其它需要反向續(xù)流的應用終端，我們的MOSFET著重優(yōu)化了BodyDiode，在提高和加快反向續(xù)流能力的同時，降低反向恢復過程中的峰值電流(Irm)和電壓(Vrm)。

新潔能結(jié)合最先進的封裝技術將MOSFET功率、電流和可靠性提升至新的高度，我們推出TO-220H封裝外形(產(chǎn)品名稱后加標H)，有效地增加了用戶在電路板裝配MOSFET的工作效率，并降低了成本。

特點與優(yōu)勢：

·低FOM(Rdson*Qg)

·高雪崩耐量，100%經(jīng)過EAS測試

·低反向恢復電荷(Qrr)，低反向恢復峰值電流(Irm)

·抗靜電能力(ESD)

·符合RoHS標準

應用：

·各類鋰電池保護模塊

·手機、平板電腦等便攜式數(shù)碼產(chǎn)品電源管理

·LEDTV等消費類電子產(chǎn)品電源