歡迎訪問深圳市巨新科電子有限公司官網! 服務熱線:15622202358      |     站點地圖
網站首頁 > 產品中心 > 東芯半導體(Dosilicon)

SPI NAND Flash

東芯半導體股份有限公司成立于2014年,總部位于上海,在深圳、南京、、中國香港、韓國均設有分公司或子公司,矢志成為前列的存儲芯片設計公司,服務全球客戶。作為Fabless芯片企業(yè),東芯半導體擁有自主的知識產權,聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的設計、生產和銷售,是目前國內少數可以同時提供NAND/NOR/DRAM設計工藝和產品方案的存儲芯片研發(fā)設計公司。
SPI NAND Flash

SPI NAND Flash

單芯片設計的串行通信方案,引腳少、封裝尺寸小,且在同一顆粒上集成了存儲陣列和控制器 ,并帶有內部ECC模塊,使其在滿足數據傳輸效率的同時,既節(jié)約了空間,又提升了穩(wěn)定性。產品現(xiàn)擁有38nm及2xnm的成熟工藝制程,未來將繼續(xù)研發(fā)1xnm先進工藝制程。產品可提供3.3V /1.8V兩種電壓,具備WSON、BGA多種封裝形式,不僅能滿足常規(guī)應用場景,也使其在目前日益普及的由電池驅動的移動互聯(lián)網及物聯(lián)網設備中保持低功耗,有效延長設備的待機時間,也更靈活地適用于不同應用場景。


規(guī)格:Specification:
電壓/Voltage1.8V,3.3V
溫度/Temperature-40℃ — 85℃ / 105℃
容量/Density512Mb/1Gb / 2Gb / 4Gb
封裝/PackageWSON 8*6,BGA 24
速度/Speed83MHz,104MHz


typePart NumberDensityVoltageSpeed(MHz/CLK)Temp. RangePKG TypeDatasheet

SPI NAND

DS35M12B-ID

512Mb

1.8V

83MHz

-40℃~85℃

WSON 6x5

Contact us

DS35M12B-IB

WSON 8x6

Download

DS35M1GA-IB

1Gb

104MHz

WSON 8x6

Download

DS35M1GA-IW

KGD

Contact us

DS35M1GB-ID

83MHz

WSON 6x5

DS35M1GB-IB

WSON 8x6

Download

DS35Q1GA-IB

3.3V

104MHz

WSON 8x6

Download

DS35Q1GA-IW

KGD

Contact us

DS35Q1GB-IB

WSON 8x6

Download

DS35M2GA-IB

2Gb

1.8V

WSON 8x6

Download

DS35M2GA-IC

BGA 24

DS35M2GA-IW

KGD

Contact us

DS35M2GB-IB

83MHz

WSON 8x6

Download

DS35Q2GA-IB

3.3V

104MHz

WSON 8x6

Download

DS35Q2GA-IC

BGA 24

DS35Q2GA-IW

KGD

Contact us

DS35Q2GB-IB

WSON 8x6

Download

DS35M4GM-IB

4Gb

1.8V

83MHz

WSON 8x6

Download

DS35Q4GM-IB

3.3V

104MHz

WSON 8x6

DS35Q2GA-A2B

2Gb

3.3V

104Mhz

-40℃~105℃

WSON 8x6

Contact us

DS35Q2GA-A2E

BGA 24(5X5-1)