金屬薄膜電阻是一種微小尺寸但具有巨大應(yīng)用潛力的電子元件。它們?cè)谖㈦娮悠骷械玫綇V泛應(yīng)用，如集成電路和傳感器。金屬薄膜電阻具有高精度、穩(wěn)定性和可靠性的特點(diǎn)，可以用于精密測(cè)量和控制電路。

電源模塊作為電子設(shè)備的“心臟”，為設(shè)備的正常運(yùn)行提供了動(dòng)力保障。隨著科技的不斷發(fā)展，電源模塊的性能和集成度將不斷提高，為現(xiàn)代電子設(shè)備的進(jìn)步和革新提供有力支持。

偷得浮生半日閑，春光暖陽醉夢(mèng)間。帶著年輕的心去跋涉，讓青春與大家同行。

全球被動(dòng)元件領(lǐng)導(dǎo)廠商-國巨集團(tuán)，推出新款薄膜氮化鉭晶片電阻-NT系列。

IGBT主要結(jié)構(gòu)是一種由硅和鍺材料制成的三明治結(jié)構(gòu)，其中心是兩個(gè)反并聯(lián)的晶體管。這種結(jié)構(gòu)使得IGBT在電力電子設(shè)備中具有高頻率、高電壓、高電流和高效率的特點(diǎn)。

襯底是碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的瓶頸環(huán)節(jié)，除了長晶慢（7天）、晶體厚度低（30mm左右）、直徑?。ā?吋）、成本高等問題外，碳化硅晶體加工也存在2大挑戰(zhàn)：材料損耗、耗時(shí)。